中芯国际申请测试结构及测试方法专利，提高了获取二维材料沟道层沟道电阻值的精确度
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2025-06-27 11:08:29
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金融界2025年6月27日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“测试结构及测试方法”的专利，公开号CN120221545A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，一种测试结构及测试方法，结构包括：基底；二维材料沟道层，悬置于基底的上方；叠层栅极结构，位于基底的上方，叠层栅极结构包括覆盖二维材料沟道层部分底面的底层栅极结构，以及覆盖二维材料沟道层部分顶面的顶层栅极结构；漏区，位于叠层栅极结构一侧的二维材料沟道层中；源区，位于叠层栅极结构另一侧的二维材料沟道层中；第一顶面接触电极，位于漏区的顶面；第一底面接触电极，位于漏区的底面；第二顶面接触电极，位于源区的顶面，且第二顶面接触电极与源区的顶面相电连接；第二底面接触电极，位于源区的底面，且第二底面接触电极与源区的底面相电连接。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可442个。
来源：金融界
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