长鑫科技申请存储器及其制作方法、电子设备专利，提高存储器的性能
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2025-06-27 11:38:13
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金融界2025年6月27日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“存储器及其制作方法、电子设备”的专利，公开号CN120220756A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本公开提供一种存储器及其制作方法、电子设备，涉及半导体技术领域，用于解决存储器的性能较差的技术问题。该存储器包括多个位线功能组、多个存储单元和阶梯结构，每个位线功能组包括第一位线结构、多个第二位线结构和多个选择晶体管。第一位线结构包括第一隔离层，以及周向环绕第一隔离层的第一位线。第一位线在第三方向上的第一侧设置有多个第二位线结构，第一位线在第三方向上的第二侧设置有阶梯结构，阶梯结构的多个导电台阶分别与对应的第一位线耦接。第一隔离层进行阻隔，避免靠近第二位线结构的部分第一位线断路，保证该部分第一位线的一致性，从而保证与第二位线结构的连接性能，提高存储器的性能。
天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5777094.224万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了18家企业，参与招投标项目1079次，财产线索方面有商标信息229条，专利信息430条，此外企业还拥有行政许可33个。
来源：金融界
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