杭州谱析光晶半导体取得改善动态特性的SiC VDMOSFET结构专利，优化开关损耗和开关EMI噪声
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2025-05-16 19:07:47
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金融界2025年5月16日消息，国家知识产权局信息显示，杭州谱析光晶半导体科技有限公司取得一项名为“一种改善动态特性的SiC VDMOSFET结构”的专利，授权公告号CN222869304U，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本实用新型涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种改善动态特性的SiC VDMOSFET结构，包括由多个VDMOS元胞相互并联组成的SiC VDMOSFET结构，所述VDMOS元胞包括漏极、金属源极、栅极以及半导体外延层；所述半导体外延层包括衬底层、扩散层、N阱层、P阱层以及耗尽层；其中，所述N阱层与扩散层之间由P阱层隔绝，并且N阱层与金属源极欧姆短接。本实用新型通过在耗尽层区域掺入不同浓度的磷元素，从而改变耗尽层的电荷导通性能，在导通状态下耗尽层具有更加优良的电荷吸引效果，并且随着栅极电压升高其JFET区域会缩减至耗尽层三区域，此时电荷沟道的导电性会成倍增加，这样可以实现开关损耗和开关EMI噪声的双向优化，达到改善器件动态特性的目的。
天眼查资料显示，杭州谱析光晶半导体科技有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本826.4856万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州谱析光晶半导体科技有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目14次，专利信息140条，此外企业还拥有行政许可2个。
来源：金融界
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