广州增芯科技申请MEMS传感器制备相关专利，提高了MEMS传感器的空腔与器件区的对准精度_电子应用

广州增芯科技申请MEMS传感器制备相关专利，提高了MEMS传感器的空腔与器件区的对准精度

创始人

2025-06-30 10:38:31

0次

金融界2025年6月30日消息，国家知识产权局信息显示，广州增芯科技有限公司申请一项名为“MEMS传感器的制备方法及MEMS传感器”的专利，公开号CN120208160A，申请日期为2025年03月。

专利摘要显示，本发明提供了一种MEMS传感器的制备方法及MEMS传感器，通过提供第一衬底，第一衬底包括从下往上依次层叠的底层硅、埋氧层以及顶层硅；在第一衬底背面的第一预设位置形成凹槽结构，凹槽结构贯穿底层硅；从第一衬底背面进行无掩模的离子注入，在顶层硅中形成阱区，并在底层硅中形成第二离子掺杂区，阱区与凹槽结构上下正对且阱区贯穿顶层硅，第二离子掺杂区位于第一预设位置以外的底层硅底部表面；提供第二衬底，将第二衬底与第一衬底背面键合，第二衬底密封凹槽结构形成MEMS传感器的空腔，在第一衬底正面的阱区分别形成重掺杂区与轻掺杂区，以形成MEMS传感器的器件区。从而提高了MEMS传感器的空腔与器件区的对准精度。

天眼查资料显示，广州增芯科技有限公司，成立于2021年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本727500万人民币。通过天眼查大数据分析，广州增芯科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目37次，财产线索方面有商标信息53条，专利信息98条，此外企业还拥有行政许可167个。

来源：金融界

企业显示信息器件对准精度底层提高了传感器凹槽专利掺杂区衬底阱区顶层硅

上一篇：元视芯智能申请像素电路及低光照信号值读取方法专利，提高低光照环境下像素电路读出的低信号值准确性

下一篇：打破国外长期垄断局面中广核技实现硅光电倍增器国产化突破

广州增芯科技申请MEMS传感器制备相关专利，提高了MEMS传感器的空腔与器件区的对准精度

相关内容

热门资讯