广州增芯科技申请MEMS传感器制备相关专利，提高了MEMS传感器的空腔与器件区的对准精度
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2025-06-30 10:38:31
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金融界2025年6月30日消息，国家知识产权局信息显示，广州增芯科技有限公司申请一项名为“MEMS传感器的制备方法及MEMS传感器”的专利，公开号CN120208160A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明提供了一种MEMS传感器的制备方法及MEMS传感器，通过提供第一衬底，第一衬底包括从下往上依次层叠的底层硅、埋氧层以及顶层硅；在第一衬底背面的第一预设位置形成凹槽结构，凹槽结构贯穿底层硅；从第一衬底背面进行无掩模的离子注入，在顶层硅中形成阱区，并在底层硅中形成第二离子掺杂区，阱区与凹槽结构上下正对且阱区贯穿顶层硅，第二离子掺杂区位于第一预设位置以外的底层硅底部表面；提供第二衬底，将第二衬底与第一衬底背面键合，第二衬底密封凹槽结构形成MEMS传感器的空腔，在第一衬底正面的阱区分别形成重掺杂区与轻掺杂区，以形成MEMS传感器的器件区。从而提高了MEMS传感器的空腔与器件区的对准精度。
天眼查资料显示，广州增芯科技有限公司，成立于2021年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本727500万人民币。通过天眼查大数据分析，广州增芯科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目37次，财产线索方面有商标信息53条，专利信息98条，此外企业还拥有行政许可167个。
来源：金融界
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