兆驰半导体取得多量子阱基发光二极管及其制备方法专利
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2025-07-01 19:38:23
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金融界2025年7月1日消息，国家知识产权局信息显示，江西兆驰半导体有限公司取得一项名为“一种多量子阱基发光二极管及其制备方法”的专利，授权公告号CN114843378B，申请日期为2022年05月。
天眼查资料显示，江西兆驰半导体有限公司，成立于2017年，位于南昌市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本160000万人民币。通过天眼查大数据分析，江西兆驰半导体有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目17次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息1459条，此外企业还拥有行政许可61个。
来源：金融界
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