杜邦申请形成半导体器件的方法专利，用于在半导体制造工业中形成精细光刻图案
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2025-07-02 22:09:34
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金融界2025年7月2日消息，国家知识产权局信息显示，杜邦电子材料国际有限责任公司申请一项名为“形成半导体器件的方法”的专利，公开号CN120236996A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，一种形成半导体器件的方法，包括：(a)提供包括金属层的半导体衬底；(b)由包含可交联的化合物和溶剂的有机底层涂覆组合物在该金属层上形成有机底层，其中该有机底层是可自交联的并且基本上不含酸产生剂；(c)固化该有机底层，从而使该有机底层交联；(d)对经固化的有机底层进行图案化，从而暴露该金属层的未被图案化的有机底层覆盖的区域；(e)将外涂层涂覆组合物施加在包括该图案化的有机底层的衬底上，其中该外涂层涂覆组合物包含能够与该图案化的有机底层交联的可交联的化合物；和有机溶剂；其中该外涂层涂覆组合物基本上不含酸产生剂；(f)固化该外涂层涂覆组合物以引起该化合物与该图案化的有机底层之间的交联，其中所得外涂层包括与该有机底层交联的第一部分和未与该有机底层交联的第二部分；(g)用基于有机物的溶液从该衬底上去除该外涂层的第二部分；以及(h)使用该图案化的有机底层和该外涂层的该第一部分作为蚀刻掩模湿法蚀刻该金属层。这些方法特别用于在半导体制造工业中形成精细光刻图案。
来源：金融界
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