华朔半导体取得基于栅极电荷分析的场效应管开关损耗评估方法专利
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2025-07-04 13:39:12
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金融界2025年7月4日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市华朔半导体有限公司取得一项名为“基于栅极电荷分析的场效应管开关损耗评估方法”的专利，授权公告号CN120067770B，申请日期为2025年04月。
天眼查资料显示，深圳市华朔半导体有限公司，成立于2016年，位于深圳市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市华朔半导体有限公司财产线索方面有商标信息1条，专利信息4条，此外企业还拥有行政许可10个。
来源：金融界
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