金融界2025年7月4日消息,国家知识产权局信息显示,深圳市华朔半导体有限公司取得一项名为“基于栅极电荷分析的场效应管开关损耗评估方法”的专利,授权公告号CN120067770B,申请日期为2025年04月。
天眼查资料显示,深圳市华朔半导体有限公司,成立于2016年,位于深圳市,是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析,深圳市华朔半导体有限公司财产线索方面有商标信息1条,专利信息4条,此外企业还拥有行政许可10个。
来源:金融界
上一篇:京东方申请压电传感器及其制作方法和触觉反馈装置专利,有利于平衡应力
下一篇:长鑫存储取得一种半导体结构的制造方法及半导体结构专利