江苏第三代半导体研究院取得氮化物光电器件外延层结构等相关专利
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2025-07-04 16:38:56
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金融界2025年7月4日消息，国家知识产权局信息显示，江苏第三代半导体研究院有限公司取得一项名为“一种氮化物光电器件的外延层结构、生长方法及芯片”的专利，授权公告号CN115312641B，申请日期为2021年7月。
天眼查资料显示，江苏第三代半导体研究院有限公司，成立于2019年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏第三代半导体研究院有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目21次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息347条，此外企业还拥有行政许可9个。
来源：金融界
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