华虹半导体申请失配测试结构相关专利，实现同时测试每个MOS晶体管的源端在共接和不共接两种状态下的失配特性
金融界2025年7月4日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“失配测试结构及其形成方法、测试方法以及建模方法”的专利，公开号CN120254545A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，一种失配测试结构及其形成方法、测试方法以及建模方法，其中形成方法包括：提供待测器件，待测器件包括衬底和半导体器件层，半导体器件层内形成有包含若干重复的器件单元的阵列，从相邻器件单元组中选取同一种类的MOS晶体管作为待测失配模块，待测失配模块中的每个MOS晶体管具有在器件正常工作时与其源端共接的相邻MOS晶体管和在器件正常工作时与其源端不共接的源端的相邻MOS晶体管。通过在相邻器件单元组中选取同一种类的MOS晶体管作为待测失配模块，每个MOS晶体管具有与其共接源端和不具有共接源端的相邻晶体管，实现同时测试每个MOS晶体管的源端在共接和不共接两种状态下的失配特性。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2924次，专利信息1678条，此外企业还拥有行政许可117个。
上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目903次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。
来源：金融界