青岛海存微电子申请半导体存储器件及其形成方法专利，提高半导体存储器件面积利用率
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2025-07-05 10:09:15
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金融界2025年7月5日消息，国家知识产权局信息显示，青岛海存微电子有限公司申请一项名为“半导体存储器件及其形成方法”的专利，公开号CN120264768A，申请日期为2025年06月。
专利摘要显示，本申请提供一种半导体存储器件及其形成方法，涉及半导体技术领域，用于解决现有半导体存储器件中抗磁能力与面积利用率无法同时提高的问题。该半导体存储器件，包括自旋轨道矩层以及设置于自旋轨道矩层上的第一磁隧道结、第二磁隧道结和间隔层；第二磁隧道结设置于第一磁隧道结的贯穿性开口中，间隔层填充于第一磁隧道结和第二磁隧道结之间的空隙，第一磁隧道结环绕在第二磁隧道结外侧，大大提高了第二磁隧道结的抗磁干扰能力；并且，第一磁隧道结远离间隔层的侧壁合围形成的图形为圆形或者凸多边形，且第一磁隧道结与间隔层的几何中心不重合，使第一磁隧道结还可用于实现无场翻转和多态存储，同步提高了半导体存储器件的面积利用率。
天眼查资料显示，青岛海存微电子有限公司，成立于2023年，位于青岛市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本39000万人民币。通过天眼查大数据分析，青岛海存微电子有限公司参与招投标项目20次，专利信息84条，此外企业还拥有行政许可4个。
来源：金融界
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