安徽长飞先进半导体申请半导体器件及制备方法等专利有效降低栅漏电容_电子应用

安徽长飞先进半导体申请半导体器件及制备方法等专利有效降低栅漏电容

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2025-07-05 12:08:44

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金融界2025年7月5日消息，国家知识产权局信息显示，安徽长飞先进半导体股份有限公司申请一项名为“半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆”的专利，公开号CN120264815A，申请日期为2025年02月。

专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，涉及半导体技术领域，半导体器件的JFET区设置于半导体本体的第一表面，第一栅极绝缘层设置于第一表面上，且覆盖JFET区。第二栅极绝缘层设置于第一栅极绝缘层的远离半导体本体的一侧，第二栅极绝缘层在第一表面上的正投影与JFET区交叠，第二栅极绝缘层还包括远离半导体本体一侧的第三表面。栅极结构至少部分设置于该第三表面上。源极设置于半导体本体的第一表面上，漏极设置于半导体本体的第二表面上。第二栅极绝缘层的设置增加了JFET区与漏极相交叠区域所对应的绝缘层厚度，该绝缘层厚度的增加可以有效降低栅漏电容，从而可以降低器件的动态损耗。

天眼查资料显示，安徽长飞先进半导体股份有限公司，成立于2018年，位于芜湖市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本29570.8317万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽长飞先进半导体股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目29次，财产线索方面有商标信息78条，专利信息193条，此外企业还拥有行政许可12个。

来源：金融界

企业方法显示先进半导体栅极降低信息本体绝缘层专利器件半导体

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