金融界2025年7月5日消息,国家知识产权局信息显示,长飞先进半导体(武汉)有限公司申请一项名为“半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆”的专利,公开号CN120264838A,申请日期为2025年06月。
专利摘要显示,本发明公开了一种半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆,其中,半导体器件包括:半导体本体,包括顺序设置的衬底、外延层、阱区和第一区域,半导体本体还包括第一表面,所述第一区域设置于所述第一表面,第一表面还设置有栅极沟槽;续流结构,设置在第一表面,至少部分续流结构从第一表面延伸至外延层中,续流结构用于形成异质结;栅极结构,位于栅极沟槽内;源极,位于第一表面;漏极,位于外延层远离衬底的一侧,实现在器件中集成异质结续流二极管,利用异质结续流二极管降低反向导通压降,提高了半导体器件的性能稳定性和安全性。
天眼查资料显示,长飞先进半导体(武汉)有限公司,成立于2022年,位于武汉市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本360000万人民币。通过天眼查大数据分析,长飞先进半导体(武汉)有限公司参与招投标项目23次,专利信息51条,此外企业还拥有行政许可15个。
来源:金融界