长飞先进半导体申请半导体器件相关专利，提高了半导体器件的性能稳定性和安全性
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2025-07-05 17:09:34
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金融界2025年7月5日消息，国家知识产权局信息显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司申请一项名为“半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆”的专利，公开号CN120264838A，申请日期为2025年06月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，其中，半导体器件包括：半导体本体，包括顺序设置的衬底、外延层、阱区和第一区域，半导体本体还包括第一表面，所述第一区域设置于所述第一表面，第一表面还设置有栅极沟槽；续流结构，设置在第一表面，至少部分续流结构从第一表面延伸至外延层中，续流结构用于形成异质结；栅极结构，位于栅极沟槽内；源极，位于第一表面；漏极，位于外延层远离衬底的一侧，实现在器件中集成异质结续流二极管，利用异质结续流二极管降低反向导通压降，提高了半导体器件的性能稳定性和安全性。
天眼查资料显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本360000万人民币。通过天眼查大数据分析，长飞先进半导体（武汉）有限公司参与招投标项目23次，专利信息51条，此外企业还拥有行政许可15个。
来源：金融界
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