纳矽微及纳芯微申请半导体封装结构的制作方法及半导体封装结构专利，实现和基岛之间的绝缘耐压的功能
金融界2025年7月7日消息，国家知识产权局信息显示，上海纳矽微电子有限公司、苏州纳芯微电子股份有限公司申请一项名为“半导体封装结构的制作方法及半导体封装结构”的专利，公开号CN120265105A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明揭示了半导体封装结构的制作方法及半导体封装结构，半导体封装结构的制作方法包括以下步骤：提供晶圆级芯片，其中所述晶圆级芯片的功能面具有隔离耐压层；切割所述晶圆级芯片，得到若干单颗的芯片；其中每颗所述芯片包括与所述功能面相对的背面以及连接所述功能面和背面的侧面；将若干所述芯片固定于同一载板的安装面，其中所述芯片的功能面面对所述载板的安装面；至少在所述芯片的侧面形成耐压层；分离所述载板以及所述芯片，并切割相邻所述芯片之间的区域，得到单颗的芯片结构；芯片结构成型隔离耐压层，以实现和基岛之间的绝缘耐压的功能。
天眼查资料显示，上海纳矽微电子有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本18500万人民币。通过天眼查大数据分析，上海纳矽微电子有限公司专利信息19条，此外企业还拥有行政许可3个。
苏州纳芯微电子股份有限公司，成立于2013年，位于苏州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本14252.8433万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州纳芯微电子股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目50次，财产线索方面有商标信息35条，专利信息239条，此外企业还拥有行政许可16个。
来源：金融界
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