广能达半导体申请射频电源点火方法等专利，提升射频电源的点火效率
创始人
2025-07-07 14:39:47
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金融界2025年7月7日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市广能达半导体科技有限公司申请一项名为“一种射频电源点火方法、装置、设备及介质”的专利，公开号CN120264561A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明涉及射频电源技术领域，揭露一种射频电源点火方法，包括：获取射频电路的射频模组，并通过定向耦合器感应射频模组的射频功率强度，得到模拟强度信号；通过模数转换器将模拟强度信号转换为数字信号，得到数字强度信号，并利用MCU处理器将数字强度信号转换为射频功率；基于PID控制算法，利用射频功率计算射频模组需要的功率控制量，并转换为功率控制模拟信号；利用功率控制模拟信号控制射频模组输出设定的功率，得到控制射频功率；利用高速开关，将控制射频功率以脉冲的形式进行点火，在点火成功后，进入正常输出模式。本发明还提出一种射频电源点火装置、设备及存储介质。
天眼查资料显示，深圳市广能达半导体科技有限公司，成立于2021年，位于深圳市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市广能达半导体科技有限公司参与招投标项目7次，专利信息31条，此外企业还拥有行政许可4个。
来源：金融界
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