新创椿树取得功率半导体芯片硅基氧化层打磨装置专利，提高作业效率
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2025-07-08 09:38:55
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金融界2025年7月8日消息，国家知识产权局信息显示，北京新创椿树整流器件有限公司取得一项名为“一种功率半导体芯片硅基氧化层打磨装置”的专利，授权公告号CN223071121U，申请日期为2024年09月。
专利摘要显示，本实用新型公开了一种功率半导体芯片硅基氧化层打磨装置，包括操作台，所述操作台的一侧表面贯穿转动连接有旋转连接轴，所述旋转连接轴的顶部固定连接有打磨盘，所述操作台的下表面安装有驱动旋转连接轴旋转的第一动力组件，所述操作台的另一侧上表面固定连接有固定矩形板。本实用新型，启动第二伺服电机，第二伺服电机的输出轴带着螺纹旋转杆旋转，使得升降连接架带着放料盘下降，让物体的待打磨面与打磨盘接触；然后启动第一伺服电机，第一伺服电机的输出轴带着旋转连接轴旋转，使得旋转连接轴带着打磨盘旋转，从而对物体进行打磨处理，无需人工手动清除，提高了作业效率，清除效果也得到保障。
天眼查资料显示，北京新创椿树整流器件有限公司，成立于2003年，位于北京市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，北京新创椿树整流器件有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目46次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息57条，此外企业还拥有行政许可3个。
来源：金融界
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