上海积塔半导体申请IGBT器件结构及其制备方法专利，提高栅氧的击穿电压
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2025-07-09 12:39:19
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金融界2025年7月9日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“一种IGBT器件结构及其制备方法”的专利，公开号CN120282465A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本发明提供一种IGBT器件结构及其制备方法，适用于重复单元尺寸为0.6～1.6μm的IGBT器件，在有源区中的第一沟槽的底部设置厚的第一介质层，有助于提高栅氧的击穿电压，减少栅漏电容的面积，降低开关延迟时间，减少器件的开关动态损耗，改善器件的开关特性；在过渡区中的第二沟槽中设置厚的第一介质层，降低过渡区处的体内高场强对第二沟槽内栅氧寿命的影响，从而提升器件的可靠性和坚固性，利用刻蚀第一沟槽和第二沟槽的负载效应，增加了过渡区中第二沟槽的深度，从而能减少终端区P型掺杂往有源区的扩散，有助于缩小过渡区尺寸，减少芯片面积，此外，源区接触孔、第一接触孔、第二接触孔和第三接触孔仅通过一道光刻工艺形成，从而降低了光刻层次和制造成本。
天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司参与招投标项目1838次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1184条，此外企业还拥有行政许可192个。
来源：金融界
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