金融界2025年7月9日消息,国家知识产权局信息显示,湖南三安半导体有限责任公司申请一项名为“半导体器件”的专利,公开号CN120282532A,申请日期为2024年10月。
专利摘要显示,本申请提供一种半导体器件,包括:半导体外延片包括有源区和围绕有源区的边缘终端区;导电类型不同的若干第一掺杂区和第二掺杂区,若干第一掺杂区设于有源区;第一导电层的栅极电极层设置在有源区,栅极总线层设置在边缘终端区;层间介质层具有第一开口并覆盖第一导电层;第二导电层包括源极焊盘和栅极焊盘;源极焊盘至少设于有源区且与第一掺杂区电连接;栅极焊盘至少设置于边缘终端区且与栅极总线层电连接;电容极板层与栅极电极层和栅极总线层彼此绝缘;介电层具有沿第一方向与第一开口的侧壁间隔设置的开孔,源极焊盘通过开孔与电容极板层电连接,栅极极板层的部分层叠于介电层远离电容极板层的一侧。
天眼查资料显示,湖南三安半导体有限责任公司,成立于2020年,位于长沙市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本450000万人民币。通过天眼查大数据分析,湖南三安半导体有限责任公司共对外投资了6家企业,参与招投标项目54次,专利信息409条,此外企业还拥有行政许可132个。
来源:金融界