湖南三安半导体申请半导体器件专利，降低了串扰风险
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2025-07-09 19:10:27
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金融界2025年7月9日消息，国家知识产权局信息显示，湖南三安半导体有限责任公司申请一项名为“半导体器件”的专利，公开号CN120282532A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本申请提供一种半导体器件，包括：半导体外延片包括有源区和围绕有源区的边缘终端区；导电类型不同的若干第一掺杂区和第二掺杂区，若干第一掺杂区设于有源区；第一导电层的栅极电极层设置在有源区，栅极总线层设置在边缘终端区；层间介质层具有第一开口并覆盖第一导电层；第二导电层包括源极焊盘和栅极焊盘；源极焊盘至少设于有源区且与第一掺杂区电连接；栅极焊盘至少设置于边缘终端区且与栅极总线层电连接；电容极板层与栅极电极层和栅极总线层彼此绝缘；介电层具有沿第一方向与第一开口的侧壁间隔设置的开孔，源极焊盘通过开孔与电容极板层电连接，栅极极板层的部分层叠于介电层远离电容极板层的一侧。
天眼查资料显示，湖南三安半导体有限责任公司，成立于2020年，位于长沙市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本450000万人民币。通过天眼查大数据分析，湖南三安半导体有限责任公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目54次，专利信息409条，此外企业还拥有行政许可132个。
来源：金融界
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