金融界2025年7月9日消息,国家知识产权局信息显示,重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“沟槽型MOS器件及其形成方法”的专利,公开号CN120282478A,申请日期为2025年04月。
专利摘要显示,本发明提供沟槽型MOS器件及其形成方法,沟槽型MOS器件的形成方法为先在初始衬底上形成栅极结构,再形成栅极结构周边的第一衬底材料层和第二衬底材料层,初始衬底、第一衬底材料层和第二衬底材料层共同构成衬底,也即直接在初始衬底上生长制备沟槽型MOS器件,无需刻蚀沟槽后填充栅极结构,降低了工艺复杂性;同时避免了沟槽型MOS器件需要深层刻蚀后填充栅极结构的工艺问题,提高了产品可靠性、均匀性和一致性;以及分段式形成栅极结构周边的第一衬底材料层和第二衬底材料层,在第一衬底材料层内形成浅掺杂区,解决了离子注入工艺中离子注入深度的限制,也即减低了工艺设计优化难度。
天眼查资料显示,重庆芯联微电子有限公司,成立于2023年,位于重庆市,是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币。通过天眼查大数据分析,重庆芯联微电子有限公司参与招投标项目716次,专利信息137条,此外企业还拥有行政许可12个。
来源:金融界