芯联微电子申请沟槽型MOS器件及其形成方法专利，降低工艺复杂性
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2025-07-09 20:09:38
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金融界2025年7月9日消息，国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“沟槽型MOS器件及其形成方法”的专利，公开号CN120282478A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明提供沟槽型MOS器件及其形成方法，沟槽型MOS器件的形成方法为先在初始衬底上形成栅极结构，再形成栅极结构周边的第一衬底材料层和第二衬底材料层，初始衬底、第一衬底材料层和第二衬底材料层共同构成衬底，也即直接在初始衬底上生长制备沟槽型MOS器件，无需刻蚀沟槽后填充栅极结构，降低了工艺复杂性；同时避免了沟槽型MOS器件需要深层刻蚀后填充栅极结构的工艺问题，提高了产品可靠性、均匀性和一致性；以及分段式形成栅极结构周边的第一衬底材料层和第二衬底材料层，在第一衬底材料层内形成浅掺杂区，解决了离子注入工艺中离子注入深度的限制，也即减低了工艺设计优化难度。
天眼查资料显示，重庆芯联微电子有限公司，成立于2023年，位于重庆市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆芯联微电子有限公司参与招投标项目716次，专利信息137条，此外企业还拥有行政许可12个。
来源：金融界
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