芯联微电子申请沟槽型MOS器件及其形成方法专利，降低工艺复杂性
创始人
2025-07-09 20:09:38
0次
金融界2025年7月9日消息，国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“沟槽型MOS器件及其形成方法”的专利，公开号CN120282478A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明提供沟槽型MOS器件及其形成方法，沟槽型MOS器件的形成方法为先在初始衬底上形成栅极结构，再形成栅极结构周边的第一衬底材料层和第二衬底材料层，初始衬底、第一衬底材料层和第二衬底材料层共同构成衬底，也即直接在初始衬底上生长制备沟槽型MOS器件，无需刻蚀沟槽后填充栅极结构，降低了工艺复杂性；同时避免了沟槽型MOS器件需要深层刻蚀后填充栅极结构的工艺问题，提高了产品可靠性、均匀性和一致性；以及分段式形成栅极结构周边的第一衬底材料层和第二衬底材料层，在第一衬底材料层内形成浅掺杂区，解决了离子注入工艺中离子注入深度的限制，也即减低了工艺设计优化难度。
天眼查资料显示，重庆芯联微电子有限公司，成立于2023年，位于重庆市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆芯联微电子有限公司参与招投标项目716次，专利信息137条，此外企业还拥有行政许可12个。
来源：金融界
相关内容
热门资讯
群创光电申请电子装置专利，可提...
金融界2025年7月9日消息，国家知识产权局信息显示，群创光电股份有限公司申请一项名为“电子装置”的...
中证电子50指数下跌0.67%
金融界7月9日消息，A股三大指数收盘涨跌不一，中证电子50指数 (电子50，931461)下跌0.6...
原创 超...
超颖电子称，A股上市后，股权融资相对便利。 文/每日财报 南黎 7月3日，上交所官网显示，上交所上市...
活力中国调研行｜从“魔镜”到未...
传感万象入云端 未来触手瞬息间 随着智能设备的普及 生活将变得越来越便捷 下班回家前 可以远程打开空...
博敏电子龙虎榜数据（7月9日）
博敏电子(603936)今日上涨2.43%，全天换手率28.62%，成交额19.70亿元，振幅5.7...
7月9日电子元件下跌0.17%...
7月9日，截至收盘，电子元件行业下跌0.17%，板块资金流出195025.05万。上涨个股家数46个...
股票行情快报：茂硕电源（002...
证券之星消息，截至2025年7月9日收盘，茂硕电源(002660)报收于9.55元，上涨0.0%，换...
股票行情快报：南都电源（300...
证券之星消息，截至2025年7月9日收盘，南都电源(300068)报收于15.09元，下跌1.57%...
科雷特能源申请电压暂降智能识别...
金融界2025年7月9日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市科雷特能源科技股份有限公司申请一项名为“...
外媒疯传：伊朗最应该买的不是中...
2025年7月6日，印度媒体，“RKM”网站居然声称：“伊朗空军正式向中国订购了首批20架配备霹雳-...