晶铁半导体申请高击穿场铪基铁电电容器件及其制造方法专利，大幅提高氧化铪基铁电电容器件的击穿场强_电子应用

晶铁半导体申请高击穿场铪基铁电电容器件及其制造方法专利，大幅提高氧化铪基铁电电容器件的击穿场强

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2025-07-11 12:39:11

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金融界2025年7月11日消息，国家知识产权局信息显示，晶铁半导体技术（广东）有限公司申请一项名为“一种高击穿场铪基铁电电容器件及其制造方法”的专利，公开号CN120302647A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本发明属于半导体器件技术领域，具体公开了一种高击穿场铪基铁电电容器件及其制造方法，器件包括底电极层、氧化铪铁电层、顶电极层和二氧化钒插层，底电极层设于氧化铪铁电层的底部，顶电极层设于氧化铪铁电层的顶部，二氧化钒插层可以只设在单一电极与铁电层之间，也可同时设在两个电极与铁电层之间。本发明可以在不降低氧化铪基铁电电容极化强度的前提下，大幅提高氧化铪基铁电电容器件的击穿场强，减弱疲劳与老化现象，降低漏电流，提高氧化铪基铁电电容的长期可靠性，并且，拓宽了氧化铪基铁电电容器件的电压工作窗口，能与其现有工艺兼容，满足其高密度存储和低功耗电子器件的要求，拓宽其应用范围。

天眼查资料显示，晶铁半导体技术（广东）有限公司，成立于2021年，位于广州市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本2339.1812万人民币。通过天眼查大数据分析，晶铁半导体技术（广东）有限公司共对外投资了2家企业，专利信息22条，此外企业还拥有行政许可9个。

来源：金融界

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