桑迪士克申请具有接触多个堆叠的贯穿堆叠接触过孔结构的存储器器件及其制造方法专利，一种存储器器件包括第一层结构
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2025-07-11 12:39:11
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金融界2025年7月11日消息，国家知识产权局信息显示，桑迪士克科技股份有限公司申请一项名为“具有接触多个堆叠的贯穿堆叠接触过孔结构的存储器器件及其制造方法”的专利，公开号CN120304027A，申请日期为2024年05月。
专利摘要显示，一种存储器器件包括：第一层结构，该第一层结构包括第一第一层交替堆叠和第二第一层交替堆叠；第二层结构，该第二层结构上覆于或下伏于该第一层结构并且包括通过跳线交替堆叠彼此横向间隔开的第一第二层交替堆叠和第二第二层交替堆叠；和存储器堆叠结构，该存储器堆叠结构竖直延伸穿过相应组至少两个交替堆叠。交替堆叠中的每个交替堆叠包括绝缘层和导电层的相应竖直交替序列。导电路径电连接该第一第一层交替堆叠内的第一第一层导电层、该第二第一层交替堆叠内的第二第一层导电层、该跳线交替堆叠内的第一第二层导电层、第一层接触过孔结构和第二层接触过孔结构。
来源：金融界
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