金融界2025年5月17日消息,国家知识产权局信息显示,力晶积成电子制造股份有限公司取得一项名为“测试三维集成电路中硅穿孔的电路结构”的专利,授权公告号CN115116872B,申请日期为2021年4月。
来源:金融界
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