中微半导体申请解决LDO负载跳变时输出过冲的电路专利，控制LDO输出电压过冲_电子应用

中微半导体申请解决LDO负载跳变时输出过冲的电路专利，控制LDO输出电压过冲

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2025-07-11 16:39:32

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金融界2025年7月11日消息，国家知识产权局信息显示，中微半导体（深圳）股份有限公司申请一项名为“一种解决LDO负载跳变时输出过冲的电路”的专利，公开号CN120301176A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本发明涉及电子技术领域，是一种解决LDO负载跳变时输出过冲的电路。本发明解决了现有技术中MCU数字内核部分供电电源不稳定、数字逻辑错误的问题。本发明包括栅驱动模块、栅极等效或补偿电容、输出驱动功率管、反馈网络、MCU数字内核，还包括顺序连接的LDO输出采样模块、上/下冲检测模块、计时模块和电压电荷调整模块；所述LDO输出采样模块输入端连接输出驱动功率管漏极；所述电压电荷调整模块输出端连接输出驱动功率管栅极。本发明成本低，易于控制，通过对LDO功率管栅驱动进行有效控制，在LDO环路响应生效前进行预先控制调节，达到控制LDO输出电压过冲，保证了数字内核供电电源相对稳定。

天眼查资料显示，中微半导体（深圳）股份有限公司，成立于2001年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本40036.5万人民币。通过天眼查大数据分析，中微半导体（深圳）股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目74次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息55条，此外企业还拥有行政许可12个。

来源：金融界

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