晶湛半导体申请一种LED结构及其制备方法专利 提高出光效率
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2025-07-11 20:10:17
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金融界2025年7月11日消息，国家知识产权局信息显示，无锡晶湛半导体有限公司申请一项名为“一种LED结构及其制备方法”的专利，公开号CN120302778A，申请日期为2024年01月。
专利摘要显示，本发明公开了一种LED结构及其制备方法，LED结构包括：依次层叠设置的衬底结构、第一半导体层、量子阱结构和第二半导体层，第一半导体层和第二半导体层导电类型相反；量子阱结构包括势阱层以及位于势阱层远离衬底结构一侧的势垒层；其中，势阱层包括多层层叠设置的势阱子层，势阱层包括In组分，多层势阱子层中至少三层势阱子层的In组分不同，对应In组分不同的至少三层势阱子层的发光波段包括红光波段、绿光波段以及蓝光波段。本发明将不同In组分的势阱子层集成在单层势阱层汇总，可以提高LED结构的提高出光效率，并且发出不同波段的光，实现全彩显示。
天眼查资料显示，无锡晶湛半导体有限公司，成立于2020年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3000万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡晶湛半导体有限公司参与招投标项目2次，专利信息31条，此外企业还拥有行政许可5个。
来源：金融界
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