晶湛半导体申请一种LED结构及其制备方法专利 提高出光效率
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2025-07-11 20:10:17
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金融界2025年7月11日消息,国家知识产权局信息显示,无锡晶湛半导体有限公司申请一项名为“一种LED结构及其制备方法”的专利,公开号CN120302778A,申请日期为2024年01月。

专利摘要显示,本发明公开了一种LED结构及其制备方法,LED结构包括:依次层叠设置的衬底结构、第一半导体层、量子阱结构和第二半导体层,第一半导体层和第二半导体层导电类型相反;量子阱结构包括势阱层以及位于势阱层远离衬底结构一侧的势垒层;其中,势阱层包括多层层叠设置的势阱子层,势阱层包括In组分,多层势阱子层中至少三层势阱子层的In组分不同,对应In组分不同的至少三层势阱子层的发光波段包括红光波段、绿光波段以及蓝光波段。本发明将不同In组分的势阱子层集成在单层势阱层汇总,可以提高LED结构的提高出光效率,并且发出不同波段的光,实现全彩显示。

天眼查资料显示,无锡晶湛半导体有限公司,成立于2020年,位于无锡市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3000万人民币。通过天眼查大数据分析,无锡晶湛半导体有限公司参与招投标项目2次,专利信息31条,此外企业还拥有行政许可5个。

来源:金融界

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