全博电子取得改善DDR芯片信号阻抗变化布局结构专利，改善DDR芯片的加工难度
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2025-07-12 10:10:56
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金融界2025年7月12日消息，国家知识产权局信息显示，长沙市全博电子科技有限公司取得一项名为“一种可以改善DDR芯片信号阻抗变化的布局结构”的专利，授权公告号CN223093947U，申请日期为2024年08月。
专利摘要显示，本实用新型公开了一种可以改善DDR芯片信号阻抗变化的布局结构，包括设置在电路板本体上的多个焊盘组，每个DDR焊盘组包括多个表贴焊盘，外侧的表贴焊盘的第一扇出孔位于DDR焊盘组外，内部的表贴焊盘的第二扇出孔位于DDR焊盘组内，且内部的表贴焊盘的第二扇出孔错位排布，使得第二扇出孔与相邻的第二扇出孔之间的中心间距不小于1.3mm。本实用新型通过改进DDR芯片的DDR焊盘组的打孔方式，拉大DDR芯片组的相邻的第一扇出孔和第二扇出孔的孔盘和孔盘之间的间距，间距变大后，使两孔之间的内层走线可以保持40Ω阻抗信号连接到DDR芯片上面，DDR走线信号质量最佳，还可以有效改善DDR芯片的加工难度。
天眼查资料显示，长沙市全博电子科技有限公司，成立于2017年，位于长沙市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本200万人民币。通过天眼查大数据分析，长沙市全博电子科技有限公司参与招投标项目6次，专利信息52条，此外企业还拥有行政许可2个。
来源：金融界
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