上海积塔半导体申请一种半导体结构及其制备方法专利,有效改善了器件中的栅源漏电及源漏漏电问题
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2025-07-14 12:38:42
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金融界2025年7月14日消息,国家知识产权局信息显示,上海积塔半导体有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制备方法”的专利,公开号CN120302665A,申请日期为2025年04月。

专利摘要显示,本申请涉及一种半导体结构及其制备方法,包括:提供半导体基底;于半导体基底上表层执行第一各向异性刻蚀,以形成第一沟槽,第一沟槽侧壁与半导体基底的底部所在平面之间具有第一倾斜角,第一倾斜角的范围为91~92度;于第一沟槽底部执行第二各向异性刻蚀,以形成第二沟槽,第二沟槽侧壁与半导体基底的底部所在平面之间具有第二倾斜角,第二倾斜角的范围为89~91度,第一沟槽及第二沟槽构成半导体沟槽;于半导体沟槽中依次形成屏蔽栅、隔离层及控制栅。

天眼查资料显示,上海积塔半导体有限公司,成立于2017年,位于上海市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析,上海积塔半导体有限公司参与招投标项目1838次,财产线索方面有商标信息9条,专利信息1193条,此外企业还拥有行政许可193个。

来源:金融界

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