上海华力集成电路制造有限公司申请 CIS 像素读出电路结构及制造方法专利，降低寄生电阻
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2025-05-17 11:34:33
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金融界 2025 年 5 月 17 日消息，国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“CIS 像素读出电路结构及制造方法”的专利，公开号 CN119997636A，申请日期为 2023 年 11 月。
专利摘要显示，本发明公开了一种 CIS 像素读出电路结构，SG 和 SF 采用不同侧墙横向厚度，SG 侧墙采用小横向厚度降低寄生电阻，SF 侧墙采用大横向厚度降低 GIDL 电流。本发明的 CIS 像素读出电路结构，SF 栅结构左右两端外侧均形成有漏端金属插塞，SF 利用公用虚拟源端与 SG 源端相连，SF 和 SG 构成 T 型组合紧凑结构，实现 2 个 SF 的等效并联，SF 的等效宽度是 2 个 SF 前后宽度之和，有效降低了 SG 和 SF 共享有源区的寄生电阻，同时节省了空间面积。本发明还公开了一种 CIS 像素读出电路结构的制造方法。
天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2071次，专利信息2295条，此外企业还拥有行政许可342个。
来源：金融界
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