天光半导体申请提高多晶硅膜层质量的方法专利，有效改善多晶硅薄膜的膜层质量以及单片和片间均匀性
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2025-07-20 01:08:37
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金融界2025年7月19日消息，国家知识产权局信息显示，天水天光半导体有限责任公司申请一项名为“一种提高多晶硅膜层质量的方法”的专利，公开号CN120330885A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明公开了一种提高多晶硅膜层质量的方法，涉及多晶硅制备技术领域。该方法包括：向炉管的炉口和炉尾同时通入氮气；将晶片装载于石英舟内并送入炉管，对炉管进行升温并抽极限真空，吹扫炉管，然后抽极限真空，随后保压；利用氮气吹扫硅烷管道内残留硅烷，随后抽空；向炉管的炉口和炉尾同时通入硅烷，进行淀积工艺；淀积工艺结束后，停止向炉管内通入硅烷，对炉管进行初步抽空，随后保压；吹扫硅烷管道内残留硅烷，先抽空再抽极限真空；降温后取出。本发明保证了炉管内气体氛围，保证充裕的硅烷气相输运，促使多晶硅薄膜淀积过程处于表面反应控制模式，获得保形性优良的薄膜生长，有效改善了多晶硅薄膜的膜层质量以及单片和片间均匀性。
天眼查资料显示，天水天光半导体有限责任公司，成立于2000年，位于天水市，是一家以从事零售业为主的企业。企业注册资本11136万人民币。通过天眼查大数据分析，天水天光半导体有限责任公司共对外投资了14家企业，参与招投标项目320次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息98条，此外企业还拥有行政许可17个。
来源：金融界
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