在存储芯片领域，那绝对是三星、美光、SK海力士这三大巨头的天下。

这三大巨头，拿走了全球80%+的份额，其它众多的厂商，合计份额也不过20%左右，完全不是三星、SK海力士、美光等的对手。

而中国存储芯片厂商，起步晚，和三星、美光等相比，那真的是差距太大了。

在很多人的认知中，在这样的局势之下，中国存储芯片，只能跟在三星、美光等后面，慢慢追，至于要超过三星、美光，很多人觉得这似乎不太可能。

但是最近发现，事情的发展，并不完全是这样的，在3D NAND闪存上，发生了一件有意思的事情。

当三星、美光、SK海力士们不断的突破，积极推进技术最，居然发现尽头竟然是长江存储，他构建了强大的专利群，在等着它们呢。

存储芯片其实是分为两个部分的，一个是存储芯片部分，一个是外围电路部分。

存储芯片这一块，不能无限的微缩工艺，基本上在18nm之后就很慎重了，再微缩，可能会导致存储数据不稳定，所以一般是堆叠，即200层，300层这种，盖更高的楼，可以住的人更多，这样就可以住进更多的“小姐姐”。

而外围电路部分，可以缩小工艺，比如3nm、5nm等，采用更先进的工艺，能够有更快的读、写速度。

这两块采用不同的工艺，然后封装在一起，这个技术就叫做混合键合技术(Hybrid Bonding)。

并且目前，混合键合已成为半导体和异质集成行业实现超细间距互连的首选技术，而长江存储，早在几年前，就搞出了一种叫作“晶栈”（Xtacking），它其实就是这种混合键合技术。

前段时间，有机构分析了关于存储芯片方面混合键合技术专利，发现长江存储最多，三星、美光、SK海力士三家加起来，都没长江存储一家多。

所以三星找长江存储合作，获得了相关的专利，据称Sk海力士也在寻求合作，毕竟对于它们而言，获得授权，远比最后打官司好。

可见，这次确实是当三星、美光、SK海力士不断的努力突破后，发现长江存储在3D NAND的尽头等着他们了……