国际商业机器公司申请具有双层自旋轨道矩（SOT）金属的 SOT MRAM 专利，改善磁性随机存取存储器性能
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2025-05-17 21:33:59
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金融界 2025 年 5 月 17 日消息，国家知识产权局信息显示，国际商业机器公司申请一项名为“具有双层自旋轨道矩（SOT）金属的 SOT MRAM”的专利，公开号 CN119998882A，申请日期为 2023 年 5 月。

专利摘要显示，一种磁性随机存取存储器（MRAM）设备包括：磁性隧道结（MTJ）堆叠；自旋轨道转矩（SOT）层，其位于 MTJ 堆叠下方；以及电介质柱，其位于 SOT 层和 MTJ 堆叠下方。SOT 层具有台阶形轮廓。

来源：金融界

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