奥趋光电申请用于高温升华装置气密烧结材料制备方法专利，所制得坩埚材料具有极好的气密性
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2025-05-17 22:03:00
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金融界2025年5月17日消息，国家知识产权局信息显示，奥趋光电技术（杭州）有限公司申请一项名为“一种用于高温升华装置的气密烧结材料的制备方法”的专利，公开号CN119977574A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种用于高温升华装置的气密烧结材料的制备方法。向碳化钽(TaC)粉末中添加钨或碳化钨粉末中的一种或两种不同占比和颗粒粒径均匀混合；将混合粉末进行冷等静压制备压制体；压制体在高温石墨炉中进行无压预烧结：先以高升温速率V1从室温升到相对低温T1，再以低升温速率V2继续升温至相对高温T2并保温，冷却过程遵循相同的反向程序；将预烧结体切割和磨削成圆盘形状后再次烧结：在真空条件，高升温速率V3升至T3，再以低升温速率V4从T3升至T4并保温，冷却过程遵循相同的反向程序，然后完成烧结；将烧结完成的圆盘机加工成坩埚。所制得坩埚材料具有极好的气密性，用于高温AlN晶体生长。
天眼查资料显示，奥趋光电技术（杭州）有限公司，成立于2018年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2446.94万人民币。通过天眼查大数据分析，奥趋光电技术（杭州）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目5次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息52条，此外企业还拥有行政许可6个。
来源：金融界
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