上海积塔半导体申请半导体结构制备方法专利，提高半导体结构性能
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2025-05-18 01:03:16
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金融界2025年5月2日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体结构的制备方法及半导体结构”的专利，公开号CN119907298A，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，本发明提供了一种半导体结构的制备方法及半导体结构，所述制备方法包括如下步骤：提供基底，所述基底包括衬底、所述衬底上的多个多晶硅栅极及位于所述多晶硅栅极的两侧的侧墙；刻蚀所述多晶硅栅极的两侧的侧墙以使两侧所述侧墙的高度和厚度均减小；形成覆盖所述多晶硅栅极的顶部和所述侧墙的层间介质层。本发明的半导体结构的制备方法中，在沉积层间介质层前，减少相邻的多晶硅栅极的侧墙的厚度，从而增大多晶硅栅极之间的间隙，降低间隙的深宽比，从而减少或消除后续层间介质层沉积过程中形成空洞，提高半导体结构的性能。
天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1793次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1042条，此外企业还拥有行政许可191个。
来源：金融界
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