三星半导体申请半导体芯片和制造半导体芯片的方法专利，可在半导体芯片的侧表面处实现电连接
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2025-05-18 08:32:56
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金融界2025年5月6日消息，国家知识产权局信息显示，三星半导体（中国）研究开发有限公司;三星电子株式会社申请一项名为“半导体芯片和制造半导体芯片的方法”的专利，公开号CN119920770A，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，提供半导体芯片和制造半导体芯片的方法。所述半导体芯片可包括：芯片基底；图案，在芯片基底的上表面上；切割道，在芯片基底的上表面上，并且包围所述图案；芯片再分布层，在所述图案中，芯片再分布层从所述图案延伸至切割道中，穿过切割道，并且被暴露至切割道的外部。根据本公开的示例实施例，因为芯片再分布层被暴露至切割道的外部并且切割道的外侧表面与芯片基底的侧表面共面，因此可在半导体芯片的侧表面处实现半导体芯片与外部装置之间的电连接。
来源：金融界
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