旺宏电子申请存储器元件专利，存储器元件具有高容量与高性能
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2025-05-18 11:34:21
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金融界2025年3月27日消息，国家知识产权局信息显示，旺宏电子股份有限公司申请一项名为“存储器元件”的专利，公开号CN 119677113 A，申请日期为2023年9月。
专利摘要显示，本发明是一种存储器元件，包括：接合结构以及多个位线。基底包括相邻的第一区与第二区。接合结构设置在基底上方。接合结构包括接合介电层、多个第一接合垫以及多个第二接合垫。接合介电层在第一区与第二区的基底上方。多个第一接合垫埋在第一区的所接合介电层中。多个第二接合垫埋在第二区的接合介电层中。多个位线设置在接合结构上方，从第一区延伸至第二区。在第一区的多个第一接合垫的密度大于在第二区的多个第二接合垫的密度。存储器元件可以是具有高容量与高性能的3DNAND闪存。
来源：金融界
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