低压大电流mos管型号
创始人
2025-08-01 15:12:52
0次
以下是市场主流品牌的低压大电流MOS管型号及相关信息：
微硕品牌
- WSD3050：耐压30V，最大电流可达50A，RDS(on)低至7mΩ。采用DFN3X3-8封装，低反向恢复时间，适合用于电源管理，如DC-DC转换等场景。
- WSF40N06：耐压60V，最大电流40A，RDS(on)低至8mΩ，采用TO-252封装，适用于高电流负载场景，如大功率水泵控制。
其他品牌
- HY5012：耐压30V，最大漏极电流为4.4A，RDS(on)在VGS=10V时为45mΩ，VGS=4.5V时为80mΩ，采用SOP-8封装，适用于DC-DC转换器、负载开关、电池保护电路等。
- FHP140N08V（飞虹）：耐压82V，最大电流140A，RDS(on)在VGS=10V时典型值为4.3mΩ，最大值为5.2mΩ，采用TO-220封装，适用于48V供电的太阳能离网工频逆变器中的DC-DC全桥拓扑电路。
- IPD50N03L（Infineon）：耐压100V，支持50A持续电流，RDS(on)低至8mΩ，采用Trench MOSFET工艺，适用于低压大电流场景，如快充、电池保护等。
在选择低压大电流MOS管时，需要综合考虑耐压值、最大电流、导通电阻、封装形式等因素，以满足具体应用场景的需求
上一篇：低压驱动mos管型号
相关内容
热门资讯
信宝电源取得具有除尘结构的线路...
国家知识产权局信息显示，常州市信宝电源设备有限公司取得一项名为“一种具有除尘结构的线路板用喷涂装置”...
嘉兴饶稷科技取得纯铜光固化3D...
国家知识产权局信息显示，嘉兴饶稷科技有限公司取得一项名为“一种纯铜光固化3D打印的高光敏活性浆料及其...
江苏上达半导体取得COF封装基...
国家知识产权局信息显示，江苏上达半导体有限公司取得一项名为“一种COF封装基材化学活化处理装置”的专...
鸿舸半导体取得用于半导体工艺的...
国家知识产权局信息显示，鸿舸半导体设备（上海）有限公司取得一项名为“一种用于半导体工艺的供液设备”的...
日本巩固“AI兴国”战略：下一...
来源：财联社 据报道，本周五（12月26日），日本政府批准了2026财年预算案，预算规模及其中用于偿...
日本2026财年芯片与AI支持...
观点网讯：12月26日，日本经济产业省公布2026财年（2026年4月起）预算草案，计划将尖端半导体...
推荐一只值得长期配置的半导体芯...
作者：烟雨 导语：是一只聚焦半导体芯片与新能源的高景气赛道偏股混合型基金（R3中风险），凭借双赛道共...
消息称三星电子Exynos 2...
IT之家 12 月 26 日消息，韩媒 The Elec 今日表示，三星电子最新旗舰移动处理器产品 ...
东华智能转向取得TAS传感器解...
国家知识产权局信息显示，南京东华智能转向系统有限公司取得一项名为“一种TAS传感器解析的自适应系统和...
奥特斯电气取得透光电动车窗升降...
国家知识产权局信息显示，黄山奥特斯电气股份有限公司取得一项名为“一种透光电动车窗升降开关”的专利，授...