南亚科技申请半导体结构的制造方法专利，能提高位元线结构的稳定性
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2025-08-01 20:16:06
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金融界2025年8月1日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构的制造方法”的专利，公开号CN120413521A，申请日期为2024年06月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构的制造方法。方法包括以下步骤：提供位元线结构与邻近于位元线结构的沟槽，其中第一间隔物设置在位元线结构的侧壁与顶表面上，第二间隔物设置在第一间隔物的侧壁和顶表面。在沟槽内形成光阻层，其中光阻层的高度小于沟槽的深度。移除第二间隔物的一部分以暴露出第一间隔物的顶表面并形成蚀刻第二间隔物，其中蚀刻第二间隔物的高度与光阻层的高度基本上相同。移除光阻层。在蚀刻第二间隔物的侧壁上形成第三间隔物，其中第三间隔物覆盖蚀刻第二间隔物的顶表面。第一间隔物和第三间隔物可以保护第二间隔物。因此，在后续蚀刻工艺中，不会暴露出第二间隔物，能提高位元线结构的稳定性。

来源：金融界

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