安徽长飞先进半导体申请半导体器件及制备方法相关专利，可有效降低SiC器件的导通电阻
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2025-08-16 14:43:45
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金融界2025年8月16日消息，国家知识产权局信息显示，安徽长飞先进半导体股份有限公司申请一项名为“半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路及车辆”的专利，公开号CN120500084A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路及车辆。该半导体器件包括：半导体本体，具有第一导电类型，半导体本体包括第一表面，第一表面设置有源极沟槽和栅极沟槽；半导体本体还包括具有第一导电类型的第二区域和具有第二导电类型的第三区域；源极沟槽结构，位于源极沟槽的内部；源极沟槽结构的外围设置有第一区域，第一区域具有第二导电类型；栅极结构，位于所述栅极沟槽内；接触金属层，位于第一表面远离半导体本体的一侧；导电接触部，位于第一表面且设置于源极沟槽结构的两侧的第一区域中，导电接触部与第二区域接触形成欧姆接触。
天眼查资料显示，安徽长飞先进半导体股份有限公司，成立于2018年，位于芜湖市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本31000.1146万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽长飞先进半导体股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目31次，财产线索方面有商标信息78条，专利信息201条，此外企业还拥有行政许可12个。
来源：金融界
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