新凯来申请半导体器件及其制作方法和电子设备相关专利，减小栅极电阻
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2025-08-16 17:21:16
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金融界2025年8月16日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市新凯来工业机器有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制作方法、电子设备”的专利，公开号CN120500096A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体领域，公开了一种半导体器件及其制作方法、电子设备，方法包括：刻蚀部分栅极，以在栅极的上方形成凹槽；采用气相沉积工艺在凹槽的底部沉积第一金属层以及在凹槽的侧壁沉积第二金属层，其中，第一金属层的厚度大于第二金属层的厚度，第一金属层的电阻小于栅极的电阻；去除第二金属层，保留第一金属层，使第一金属层在栅极的顶部形成金属帽层。气相沉积工艺具有方向性，使得第一金属层的厚度大于第二金属层，所以金属帽层的厚度比较大；并且由于第一金属层的电阻小于栅极，所以使得栅极结构电阻减小。气相沉积工艺的能量比较高，可以使第一金属层的致密性高、纯度高，从而使第一金属层的电阻更低，进一步减小栅极的电阻。
天眼查资料显示，深圳市新凯来工业机器有限公司，成立于2022年，位于深圳市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本106584.4444万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市新凯来工业机器有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目8次，财产线索方面有商标信息20条，专利信息131条，此外企业还拥有行政许可12个。
来源：金融界
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