江苏东海半导体申请高耐候性IGBT器件专利，实现IGBT晶体管降温
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2025-08-20 22:09:35
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金融界2025年8月20日消息，国家知识产权局信息显示，江苏东海半导体股份有限公司申请一项名为“一种高耐候性IGBT器件”的专利，公开号CN120512850A，申请日期为2024年02月。
专利摘要显示，本发明公开了一种高耐候性IGBT器件，包括；IGBT晶体管；IGBT晶体管的顶部固定连接有连接块，连接块内腔的左侧固定安装有散热机构。本发明通过散热机构的设置，能够使IGBT晶体管工作产生热辐射，并使吸风蜗扇工作，吸风蜗扇工作抽取空气进入导管的内部，导管引导空气进入涡流室的内部，然后空气通过涡流室，以高速旋转的方式流向一方，在这股气流运动过程中，外层的空气会发热，与之相反的是，内层的空气会变冷，冷热度与流速成正比，运动至一端时冷气回沿着涡流室的中心反向回流至冷端管，形成制冷源，热气通过热端管排放出连接块的左侧，冷气通过冷端管接触导向板改变风向，冷风通过连接块传导至IGBT晶体管的表面实现降温。
天眼查资料显示，江苏东海半导体股份有限公司，成立于2004年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8150万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏东海半导体股份有限公司参与招投标项目6次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息227条，此外企业还拥有行政许可28个。
来源：金融界
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