芯合半导体取得一种SiC MOSFET器件及其制备方法专利
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2025-08-22 13:37:32
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金融界2025年8月22日消息，国家知识产权局信息显示，芯合半导体（合肥）有限公司取得一项名为“一种SiC MOSFET器件及其制备方法”的专利，授权公告号CN116344588B，申请日期为2023年05月。
天眼查资料显示，芯合半导体（合肥）有限公司，成立于2023年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本16128万人民币。通过天眼查大数据分析，芯合半导体（合肥）有限公司共对外投资了2家企业，专利信息39条，此外企业还拥有行政许可2个。
来源：金融界
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