上海积塔半导体取得可消除浅沟槽凹坑的半导体工艺方法专利
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2025-08-22 20:10:09
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金融界2025年8月22日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司取得一项名为“可消除浅沟槽凹坑的半导体工艺方法”的专利，授权公告号CN114334794B，申请日期为2021年12月。
天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1849次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1234条，此外企业还拥有行政许可193个。
来源：金融界
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