华虹半导体申请提升SRAM最低工作电压的版图结构专利，三温测试下的SRAM最低工作电压可降低20-30mV
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2025-08-22 21:37:59
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金融界2025年8月22日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“提升SRAM最低工作电压的版图结构”的专利，公开号CN120529649A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明提供一种提升SRAM最低工作电压的版图结构，包括在SRAM存储单元的传输管和下拉管共享的有源区结构中，通过调整传输管器件的有源区区域形状，使得传输管的有源区区域宽度在多晶硅栅极覆盖区域相对于原设计增加，从而提高传输管的饱和电流。本发明通过版图调整，三温测试下(高温、室温、低温)的SRAM最低工作电压可降低20‑30mV，且写入操作的成功窗口显著扩大。此外，该结构无需额外工艺步骤或光罩层数，仅通过掩膜版图形优化即可达成目标，大幅降低了制造成本。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2938次，专利信息1762条，此外企业还拥有行政许可116个。
来源：金融界
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