甬矽半导体申请 5D 中介层露铜工艺和封装结构专利，方便管控研磨厚度以及减薄厚度
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2025-08-23 10:09:42
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金融界 2025 年 8 月 23 日消息，国家知识产权局信息显示，甬矽半导体（宁波）有限公司申请一项名为“5D 中介层露铜工艺和封装结构”的专利，公开号 CN120527240A，申请日期为 2025 年 07 月。
专利摘要显示，本申请提供的一种 2.5D 中介层露铜工艺和封装结构。该 2.5D 中介层露铜工艺包括提供具有导电柱的中介层；中介层包括相对设置的第一表面和第二表面；第一表面和第二表面边缘分别设有第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽的深度为 H1，第二凹槽的深度为 H2，第一凹槽和第二凹槽的槽底之间的间距为 H3。第二凹槽的槽底和第二端面齐平。研磨第二表面，以露出第二端面；研磨厚度为 H2。从第二表面减薄中介层，以使导电柱的凸出高度为 H3。之后再形成与导电柱电连接的电连部。这样，可以方便管控研磨厚度以及减薄厚度，确保所有导电柱的凸出高度一致，有利于提升后续布线精度，从而提高封装效率和封装质量。
天眼查资料显示，甬矽半导体（宁波）有限公司，成立于2021年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本400000万人民币。通过天眼查大数据分析，甬矽半导体（宁波）有限公司参与招投标项目34次，专利信息191条，此外企业还拥有行政许可14个。
来源：金融界
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