南亚科技申请具有容器状电极的存储器元件及其制造方法专利，公开一种存储器元件及存储器元件的制造方法
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2025-08-23 11:37:13
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金融界2025年8月23日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“具有容器状电极的存储器元件及其制造方法”的专利，公开号CN120529582A，申请日期为2024年05月。
专利摘要显示，本申请案公开一种存储器元件及存储器元件的制造方法。此存储器元件包括：一基板；一接触区，位于该基板上；一底部电极，位于该接触区上，其中该底部电极具有一容器状轮廓；一支撑层，位于该基板之上且横向地围绕该底部电极；一介电结构，包括：一介电层，顺应性地位于该底部电极上且位于该支撑层的一顶表面上，并且覆盖该支撑层的顶部角落；以及多个介电部分，顺应性地位于该介电层上且覆盖该支撑层的该等顶部角落；以及一顶部电极结构，位于该介电结构上。该多个介电部分夹设于该顶部电极结构与该介电层之间。该支撑层的该顶表面高于该底部电极的一顶表面。
来源：金融界
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