前言

小米15S Pro是小米在15 Pro的基础上专门研发的，作为小米集团成立15周年的纪念产品。与小米15 Pro相比，小米15S Pro不仅在屏幕、影像、散热等方面均有升级，而且还搭载小米新发布的3nm自研手机SOC芯片玄戒O1，可谓诚意满满。

玄戒O1带来了相当多的亮点和流量，也吸引了众多知名科技博主、媒体评测，手机整体体验十分流畅，游戏、视频表现出众，相较于苹果A18，高通骁龙8 Elite，Mediatek 的天玑9400+等旗舰芯片，玄戒O1表现可圈可点，标志着小米自研芯片正式跻身世界第一梯队。

最近，充电头网通过拆解了解到，小米15S Pro内置的玄戒O1背面内置Empower E-CAP硅电容，这也是国产手机处理器首次搭载硅电容。

小米15S Pro手机

小米15S Pro采用6.73英寸全等深微曲屏，这是一款2K低功耗屏，采用定制M9发光材料，支持120Hz刷新率以及3200nits亮度，新机搭载了小米的玄戒芯片O1，搭载HyperOS 2，摄像模组方面则搭载三颗5000万像素徕卡光学全焦段高速镜头，支持全焦段的4K夜景视频，性能十分强大。

简单看过产品概况，充电头网继续为您介绍玄戒O1内置的Empower硅电容。

Empower Semiconductor安普沃尔半导体E-CAP硅电容

在玄戒O1处理器背面焊接了4颗硅电容和5颗陶瓷电容，用于抑制电源噪声。这也是充电头网首次在国产手机处理器拆解上看到硅电容。

玄戒O1背面中上部焊接的四颗硅电容来自Empower Semiconductor安普沃尔半导体，型号EC1004B，电容尺寸仅为0.64*0.5mm，超薄厚度为75μm，电容容量为230nF，支持-40~125℃工作温度。该硅电容的容值在不同的工作电压和温度下都能保持不变，且ESL低至6.5pH，谐振频率高达300MHz，非常适合封装集成，基板埋嵌，为基于先进工艺的高性能SOC芯片供电滤波。

Empower E-CAP硅电容超薄的设计，可以焊接在处理器背面，焊球之间，自身的超低的等效电阻和等效电感，可将目标频段的电源噪声降低50%，提高处理器的稳定性，使其在更高的频率运行下，获得更加流畅的使用体验，充分发挥性能。据了解，玄戒O1是国内首家，在手机处理器芯片上使用硅电容的厂商。

充电头网了解到，在用硅电容替代同性能的MLCC滤波电容时，面积从30mm²降至6mm²，降幅高达80%。Empower既提供200nF - 50uF的单颗硅电容，也有集成17颗、总容量4.8uF的电容阵列。Empower还支持定制各类超薄、CSP封装的电容，以满足高性能计算需求。在实际应用中，可用两颗E-CAP EC1001替代多颗MLCC并联，可令总占用面积和10M-1G内阻抗大幅降低，有效提升处理器性能。

充电头网总结

小米玄戒O1首次在国产手机处理器中采用Empower Semiconductor安普沃尔半导体的 EC1004B硅电容，其超小尺寸、低 ESL、高谐振频率等特性，可有效降低电源噪声，提升处理器稳定性，助力小米15S Pro释放满血性能。

充电头网了解到，Empower Semiconductor的成立是为了解决数据密集型应用的电源交付中的基本问题。传统电源解决方案需要数十个分立元件，这些元件具有较大的占位面积，复杂的设计，并且在响应时间短且不准确的情况下无法有效地提供电源。

Empower的获得专利的IVR技术将多个组件集成到单个IC中，从而提高了效率，占地面积减小了10倍，并以前所未有的简单性，速度和准确性以及零分立组件提供了强大的电源。这项IVR技术可为$10B商机提供广泛的应用，包括移动，5G，AI和数据中心。该公司总部位于加利福尼亚州米尔皮塔斯（San Jose），由一支经验丰富的电源专家和高管团队领导。