万国半导体取得气体掺杂物掺杂的深沟槽超级结高压MOSFET专利
创始人
2025-08-26 10:08:52
0次
金融界2025年8月26日消息，国家知识产权局信息显示，万国半导体国际有限合伙公司取得一项名为“气体掺杂物掺杂的深沟槽超级结高压MOSFET”的专利，授权公告号CN114530415B，申请日期为2021年11月。
来源：金融界
下一篇：中原内配：公司不是阳光电源股东
相关内容
热门资讯
时代全芯取得三态内容寻址存储单...
金融界2025年8月26日消息，国家知识产权局信息显示，北京时代全芯存储技术股份有限公司、北京时代全...
北京燃气密云取得阀门开关加长杆...
金融界2025年8月26日消息，国家知识产权局信息显示，北京燃气密云有限公司取得一项名为“一种阀门开...
松下神视取得传感器相关专利
金融界2025年8月26日消息，国家知识产权局信息显示，松下神视电子（苏州）有限公司取得一项名为“传...
高迈微电子取得节省存储空间的图...
金融界2025年8月26日消息，国家知识产权局信息显示，成都高迈微电子有限公司取得一项名为“一种节省...
九江德福科技申请带平面电阻附载...
金融界2025年8月26日消息，国家知识产权局信息显示，九江德福科技股份有限公司申请一项名为“一种带...
恩玖科技取得光储一体机隔离型辅...
金融界2025年8月26日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市恩玖科技有限公司取得一项名为“一种用于...
南京天保昌取得侧导板嵌入耐磨材...
金融界2025年8月26日消息，国家知识产权局信息显示，南京天保昌冶金机械配件有限公司取得一项名为“...
创启光伏取得电流优化型三分体接...
金融界2025年8月26日消息，国家知识产权局信息显示，慈溪市创启光伏科技有限公司取得一项名为“一种...
泓淋电力：电源线组件及高速铜缆...
证券之星消息，泓淋电力(301439)08月25日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题。 投资者提...
北京轨道交通装备集团取得地铁车...
金融界2025年8月26日消息，国家知识产权局信息显示，北京轨道交通技术装备集团有限公司取得一项名为...