万国半导体取得气体掺杂物掺杂的深沟槽超级结高压MOSFET专利
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2025-08-26 10:08:52
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金融界2025年8月26日消息，国家知识产权局信息显示，万国半导体国际有限合伙公司取得一项名为“气体掺杂物掺杂的深沟槽超级结高压MOSFET”的专利，授权公告号CN114530415B，申请日期为2021年11月。

来源：金融界

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