华虹半导体申请存储单元侧墙制造方法专利，缩小凹陷侧掏深度
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2025-05-20 15:07:06
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金融界2025年5月20日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“存储单元侧墙的制造方法”的专利，公开号CN120015622A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及存储单元侧墙的制造方法。所述存储单元侧墙的制造方法包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成多个相间隔的存储单元，所述存储单元的侧壁上形成L型侧墙结构，该L型侧墙结构包括由下至上依次层叠的底层氧化硅层、氮化硅层和上层氧化硅层；淀积金属硅化物阻挡层，所述金属硅化物阻挡层覆盖在L型侧墙结构的表面；刻蚀所述金属硅化物阻挡层，对所述L型侧墙结构的底层氧化硅层边缘造成侧掏形成凹陷；在金属硅化物制作完成后，通过应力临近刻蚀工艺刻蚀外露的氮化硅层，缩小所述凹陷的侧掏深度；淀积介质层，所述介质层填充满缩小后的凹陷。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2912次，专利信息1654条，此外企业还拥有行政许可117个。
来源：金融界
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