无锡尚积半导体申请刻蚀去胶一体腔专利，提高生产效率
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2025-05-20 16:07:26
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金融界2025年5月20日消息，国家知识产权局信息显示，无锡尚积半导体科技股份有限公司申请一项名为“刻蚀去胶一体腔”的专利，公开号CN120015669A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本申请公开了一种刻蚀去胶一体腔，包括工作室、翻转机构、刻蚀机构和去胶机构，翻转机构可转动地悬设于工作室内，并将工作室的内腔分为刻蚀腔和去胶腔，刻蚀机构用于实现刻蚀腔内晶圆的刻蚀，去胶机构用于实现去胶腔内晶圆的去胶；翻转机构包括球形壳体、第一载台、第二载台、翻转驱动器和顶升机构，第一载台和第二载台对称设置在球形壳体两端，顶升机构能够配合晶圆上料设备为第一载台和第二载台传递晶圆，翻转驱动器用于驱使球形壳体旋转，以交换第一载台和第二载台的位置，晶圆能够在工作室内先后接受刻蚀、去胶处理；本申请通过将刻蚀和去胶功能集成在一个腔体内，减少了晶圆在不同设备间的转移次数和等待时间，提高了生产效率。
天眼查资料显示，无锡尚积半导体科技股份有限公司，成立于2021年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2095.4838万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡尚积半导体科技股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目20次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息119条，此外企业还拥有行政许可15个。
来源：金融界
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