安徽长飞先进半导体申请碳化硅二极管等专利，提高碳化硅二极管整体性能_电子应用

安徽长飞先进半导体申请碳化硅二极管等专利，提高碳化硅二极管整体性能

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2025-05-15 10:42:34

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金融界2025年5月7日消息，国家知识产权局信息显示，安徽长飞先进半导体股份有限公司申请一项名为“碳化硅二极管、功率模块、功率转换电路、车辆”的专利，公开号CN119947138A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本申请公开了一种碳化硅二极管、功率模块、功率转换电路、车辆，属于半导体技术领域。该碳化硅二极管包括第一电极、第一导电类型层和第二电极。第一导电类型层设置于第一电极上，第一导电类型层包括远离第一电极的第一表面，第一表面设置有沟槽，且第一导电类型层还包括第二导电类型区域，第二导电类型区域设置于沟槽的侧壁和底部，第二电极设置于沟槽内，且覆盖第二导电类型区域。本申请的技术方案在提高碳化硅二极管反向耐压性能的同时，也提高了碳化硅二极管的正向导通能力，从而提高了碳化硅二极管的整体性能。

天眼查资料显示，安徽长飞先进半导体股份有限公司，成立于2018年，位于芜湖市，是一家以从事商务服务业为主的企业。企业注册资本29570.8317万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽长飞先进半导体股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目29次，财产线索方面有商标信息75条，专利信息185条，此外企业还拥有行政许可12个。

来源：金融界

企业显示先进半导体导电电极整体碳化硅专利二极管类型类型层

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