华虹半导体申请改善CMOS图像传感器性能器件专利，提升电子传输速度
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2025-05-20 18:34:20
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金融界2025年5月20日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“改善CMOS图像传感器性能的器件”的专利，公开号CN120018608A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本发明提供一种改善CMOS图像传感器性能的器件，包括像素单元；像素单元包括：光电二极管与浮动扩散节点均位于(100)晶面/<110>晶向的衬底中，传输管固定于衬底上表面，正对光电二极管与浮动扩散节点之间，传输管沟道方向为＜100＞晶向，以提升电子传输速度；光电二极管通过传输管与浮动扩散节点连接；在浮动扩散节点靠近沟道区域增加的离子注入层，以形成电势梯度，提升电信号的传输效率。本发明将像素单元中传输管沟道方向变为＜100＞晶向，提升电子传输速度；通过增加离子注入层，形成电势梯度，提升电信号的传输效率。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2912次，专利信息1654条，此外企业还拥有行政许可117个。
来源：金融界
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