众拓光电申请一种氮化硼插层的肖特基势垒二极管及其制备方法专利，提高器件的击穿电压
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2025-05-20 19:37:54
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金融界2025年5月20日消息，国家知识产权局信息显示，河源市众拓光电科技有限公司申请一项名为“一种氮化硼插层的肖特基势垒二极管及其制备方法”的专利，公开号CN120018527A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种氮化硼插层的肖特基势垒二极管及其制备方法，其中，方法包括步骤：在衬底上依次沉积形成自下而上设置的缓冲层、n‑GaN层、u‑GaN层和h‑BN层；刻蚀u‑GaN层和h‑BN层形成第一凹槽；制作肖特基接触金属电极和欧姆接触金属电极；形成钝化层，局部刻蚀钝化层以使肖特基接触金属电极和欧姆接触金属电极外露；本申请的氮化硼插层的肖特基势垒二极管的制备方法通过插入h‑BN层，以利用其高击穿场强特性提高器件的击穿电压，同时通过在第一凹槽上制作欧姆接触金属电极，有效控制电极与半导体材料的接触面积，减小寄生效应，另外，通过形成钝化层，进一步改善了器件的表面特性。
天眼查资料显示，河源市众拓光电科技有限公司，成立于2015年，位于河源市，是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本9800万人民币。通过天眼查大数据分析，河源市众拓光电科技有限公司参与招投标项目4次，专利信息127条，此外企业还拥有行政许可101个。
来源：金融界
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